儀器采用GB/T 1552-1995硅、鍺單晶電阻率測定直排四探針法(2)范圍：電阻率10-5～10+3歐姆·厘米，分辨率為10-5歐姆·厘米方塊電阻10-4～10+4歐姆/□，小分辨率為10-4歐姆/□(3)可測量材料：半導體材料硅鍺棒、塊、片、導電薄膜等可準確測量的半導體尺寸：直徑≥20㎜手動測試架：KDJ-1A 型手動測試架探頭上下由手動操作，可以用作斷面單晶棒和硅片測試，探針頭可上下移動距離：120mm，測試臺面200x200(mm)。(4)測量方式：平面測量。(5)電壓表：雙數字電壓表，可同時觀察電流、電壓變化A.電流輸出：直流電流0.003～100 mA連續可調，有交流電源供給(7)四探針測試探頭注：如果測金屬粉末電阻率把樣品壓成塊或片才能測
