Vishay的新款12V芯片級MOSFET可有效降低超便攜產品的功耗
新的MICRO FOOT®器件首次在1.8V電壓和±8V VGS下實現35mΩ導通電阻
2014 年 10 月21 日 ，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，發布有助于在智能手機、平板電腦、可穿戴設備和高端筆記本電腦中減少功耗并延長電池使用時間的新款功率MOSFET---Si8457DB。新的芯片級MICRO FOOT® P溝道Si8457DB在1.8V柵極驅動下具有1.6mm x 1.6mm占位的MOSFET當中最低的導通電阻，也是唯一VGS 達到±8V的此類器件，為鋰離子電池供電的應用提供了額外的安全裕量。
Si8457DB可在電源管理應用中用作電池開關和負載開關，在4.5V、2.5V和1.8V下的導通電阻分別為19mΩ、23.4mΩ和35mΩ。與采用DFN 1.6mm方形封裝的最接近器件相比，該器件的1.8V導通電壓減小了17%。器件可以在最低-1.8V下導通，加上±8V VGS，為大多數鋰離子電池供電的應用提供了安全裕量、靈活的柵極驅動設計和高性能。
Si8457DB能夠在業內率先實現如此性能，要歸功于極低的單位面積導通電阻，使器件在節省空間的同時還能夠降低移動應用的電池功耗。器件的低導通電阻意味著在直流電壓和脈沖峰值電流下的壓降非常低，以熱的形式浪費掉的電能更少。器件可在-1.8V下導通，簡化了諸如適應低電池電壓或IC負載拉低柵源電壓等情況的設計工作。
Si8457DB是移動電源管理的高效負載開關中的關鍵組成模塊。作為P溝道MOSFET，Si8457DB具有明顯的優勢，在電路里不需要電荷泵就能夠開啟導通，能直接與各種電源里的大量電源管理和控制IC配合工作。
