教育裝備采購網訊：據科技部消息，韓國三星電子近日在京畿道華城舉行20納米DRAM閃存量產慶祝儀式，三星電子表示，這標志著采用20納米級工藝的DRAM內存芯片將進入量產階段，內存芯片納米競爭已然落幕，從而正式邁入下一代芯片時代。
報道稱，內存芯片16號生產線是一棟占地19.8萬平方米的12層建筑，是世界最大的內存芯片生產線。該生產線用12英寸晶圓每月生產1萬個用于數碼相機和智能手機的20納米級閃存。
三星電子介紹說，芯片內部的電子線路由無數微細的電線緊湊而成。電線越細，在同一面積上裝載的電子零件越多，就能儲存更多信息。但如果電線過細，流經芯片線路的電流會發生干擾和沖突，從而引發故障。全球芯片生產商為了把電線直徑縮小到相當于人類頭發絲萬分之一的納米單位，展開了激烈的競爭。20納米級工藝和30納米級工藝生產的DRAM內存芯片性能相同，但產量可提高50%，三星的競爭力就在于該微細工藝技術。
據悉，三星在1992年后第一個研發出最微細的芯片生產工藝，并引領內存芯片市場。三星電子強調，這是世界最大的內存芯片生產商三星用來與競爭對手進一步拉大差距的利器，在下一代芯片競爭中，兼備原創技術和量產技術的韓國企業具有更強的競爭力。
