臺式高性能CVD石墨烯/碳納米管快速制備系列—nanoCVD
NanoCVD系列臺式設備是專為制備高質量的石墨烯與碳納米管而開發的高性能臺式CVD系統。在與諾獎科研團隊的長期合作中獲得的豐富經驗使該系列產品具有非常高的性能。特別是針對石墨烯、碳納米管等不同的應用進行了針對性的優化。該系列產品操作簡便，生長條件控制，生長迅速、制備出的樣品具有高質量、高可重復性，這些特點使得該系列產品受到多個石墨烯研究團隊的贊譽。該系列產品適合于想要制備高質量石墨烯或碳納米管用于高端學術研究的團隊。例如，?？巳卮髮W、哈德斯菲爾德大學、萊頓大學、亞森工業大學這些知名的高校均是nanoCVD系列的用戶。
nanoCVD采用全新的設計理念，可以快速、高質量地生產石墨烯或碳納米管。與傳統的簡易CVD(管式爐)相比，該系統基于冷壁設計方案，具有以下主要優點:
◎ 系統可以快速的升溫和降溫。
◎ 更加的條件控制和可靠的工藝重現性。
◎ 安全性設計，具有尾氣稀釋模塊。
◎ 智能化設計，全自動引導式觸屏操作系統。
◎ 支持自動程序的設定與儲存。
◎ 雄厚的技術積累，專業的技術支持。
設備型號
臺式超高質量石墨烯快速制備CVD系統- nanoCVD8G
nanoCVD-8G系統是性能穩定的快速的石墨烯生長系統。nanoCVD-8G具有壓強自動控制系統，可以的控制石墨烯生長過程中的氣氛條件。系統采用低熱容的樣品臺可在2分鐘內升溫至1000℃并控溫。該裝置采用了冷壁技術，樣品生長完畢后可以快速降溫。正是因為這些條件可以讓用戶在30分鐘內即可獲得高質量的石墨烯。用戶通過HMI觸屏進行操作，所有的硬件都是自動化的。更有內置的標準石墨烯生長示例程序供用戶參考。該系統安裝迅速，非常適合需要持續快速獲取高質量石墨烯用于高質量學術研究的團隊。?？巳卮髮W、哈德斯菲爾德大學、萊頓大學、亞森工業大學等很多的高校都是該系統的用戶。
主要特點： ◎ 合成高質量、可重復的石墨烯 ◎ 生長條件控制 ◎ 高溫度：1100 °C ◎ 生長時間：<30 min ◎ 基片尺寸大：20 × 40 mm2 ◎ 全自動過程控制 ◎ MFC流量計控制過程氣體 (Ar、H2與CH4) ◎ 用戶友好型觸屏控制 ◎ 可設定、存儲多個生長程序 ◎ 可連接電腦記錄數據 ◎ 易于維護 ◎ 全面安全性設計，尾氣稀釋模塊 ◎ 兼容超凈間 ◎ 系統性能穩定 |
部分數據展示：
小型等離子增強大尺寸石墨烯制備CVD系統 - nanoCVD WPG
nanoCVD-WPG將nanoCVD-8G高質量石墨烯生長的功能與等離子體增強技術相結合，系統可制備晶圓尺寸(3英寸或4英寸)別的樣品。除此之外，利用該系統的生長控制條件可以制備多種高質量的2D材料，該系統是小型CVD系統性能上的一個重大飛躍。全新的設計方案和控制系統使該系統成為制備大面積2D樣品的上佳選擇。
應用領域包括:石墨烯和2D材料、光伏電、觸屏材料、高性能生物電子材料、傳感器、儲能材料。
主要特點： ◎ 晶圓樣品尺寸: 3英寸、4英寸 ◎ 150 W/13.56 MHz RF 電源 ◎ 多個等離子體電 ◎ 高溫度1100 °C ◎ 腔體冷壁技術 ◎ 全自動條件控制 ◎ 用戶友好的觸屏操作 ◎ 可設定、存儲多個生長程序 ◎ 可連接電腦記錄數據 ◎ 易于維護 ◎ 全面安全性設計，尾氣稀釋模塊 ◎ 兼容超凈室 ◎ 基于成熟的NanoCVD技術 | 生長條件： ◎ 襯底：Cu、Ni等薄膜或薄片 ◎ 工作原料：CH4，C2H4，PMMA等 ◎ 保護氣體：H2，Ar，N2等 典型配置指標： ◎ 腔體：腔壁水冷技術，熱屏蔽不銹鋼腔體 ◎ 真空系統：分子泵系統，5×10-7mbar本底真空。 ◎ 樣品臺：大4英寸直徑，高1100°C ◎ 操作控制：觸摸屏/電腦接口；可手動控制或自動控制 ◎ 氣體控制：MFC 流量計，Ar，CH4，H2為標配種類。 ◎ 過程控制：自動控制 ◎ 等離子源：150 W/13.56 MHz RF 電源，樣品臺附近或需要的位置產生等離子體。 ◎ 安全性：冷卻與真空鎖系統，氣體稀釋模塊。 |
發表文章
Residual metallic contamination of transferred chemical vapor deposited graphene
Lupina, G., et al. ACS Nano 2015 DOI: 10.1021/acsnano.5b01261
本文作者研究了通常用于將CVD石墨烯放置到應用襯底上的濕轉移工藝會導致材料的微量污染。這些純度會對石墨烯的其他特殊特性產生不利影響，并對電子和光電應用產生影響。
相關設備: nanoCVD-8G
Transparent conductive graphene textile fibers
Neves, A. I. S., et al. Scientific Reports 2015 DOI: 10.1038/srep09866
使用nanoCVD-8G制成的石墨烯被轉移到纖維上，次生產出柔韌的、完全嵌入的紡織電。石墨烯的高質量意味著電具有超低的表面電阻和高的機械穩定性。
相關設備: nanoCVD-8G
High quality monolayer graphene synthesized by resistive heating cold wall chemical vapor deposition
Bointon, T. H., et al. Advanced Materials 2015 DOI: 10.1002/adma.201501600
展示了冷壁法CVD合成石墨烯的優勢，并報道了使用nanoCVD – 8G制備的高質量石墨烯材料具有超高的載流子遷移率，表現出半整數量子霍爾效應，這與剝離制備的樣品相當。
相關設備: nanoCVD-8G
Mapping nanoscale electrochemistry of individual single-walled carbon nanotubes
Güell, A. G., et al. Nano Letters 2014 DOI: 10.1021/nl403752e
利用nanoCVD – 8N技術制備了單壁碳納米管，并利用電化學技術對其進行了研究。高分辨率的測量可以檢查單個單壁碳納米管的特性。這一發現對未來使用SWNT電的器件設計具有重要意義。
相關設備: nanoCVD-8N
Nanoscale electrocatalysis: Visualizing oxygen reduction at pristine, kinked, and oxidized sites on individual carbon nanotubes
Byers, J. C., et al. Journal of the American Chemical Society 2014 DOI: 10.1021/ja505708y
電化學技術，結合使用nanoCVD - 8N技術產生的單壁碳納米管，被用來證明即使在沒有摻雜、修飾或缺陷的情況下，碳納米管也表現出顯著的活性。
相關設備: nanoCVD-8N
用戶單位
?？巳卮髮W | 哈德斯菲爾德大學 |
萊頓大學 | 亞森工業大學 |
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