Ce:YAG單晶是一種綜合性能優良的快衰變閃爍材料，具有高的光輸出（20000光子MeV），快的發光衰減（~70ns），優異的熱機械性能，發光峰值波長（540nm）與普通光電倍增管的接收靈敏波長很好地匹配（PMT）和硅光電二極管（PD），良好的光脈沖區分了γ射線和α粒子，Ce:YAG適合于探測α粒子、電子和β射線等帶電粒子，特別是Ce:YAG單晶良好的力學性能，使制備厚度小于30um的薄膜成為可能。。Ce:YAG閃爍探測器廣泛應用于電子顯微鏡、β和X射線計數、電子和X射線成像屏等領域。
Ce：YAG閃爍晶體-一種用于白光LED的快速衰減閃爍材料
Ce:YAG單晶在340nm和460nm處有明顯的吸收峰，這是Ce3+的特征吸收峰。目前商用白光LED中使用的InGaN藍光芯片的發射波長為460nm。中心波長460nm的Ce:YAG單晶的寬吸收帶表明，它能有效地吸收藍晶片發出的藍光，將藍晶片發出的藍光和Ce:YAG晶片發出的黃光疊加成白光。此外，Ce:YAG單晶具有良好的熱穩定性，這對大功率白光LED器件的制造尤為重要。。隨著Ce:YAG晶片厚度的增加，藍晶片和Ce:YAG晶片封裝的白光LED器件的光效率逐漸提高，色溫和顯色指數逐漸降低，隨著晶片厚度的增加，Ce3+的含量相對增加。吸收的藍光越多，發出的黃光越多，導致晶圓的發光從藍色變成白色變成黃色。
參數
| 屬性 | 數值 |
| 化學式 | Ce:Y3 Al5 O12 |
| 密度 (g/cm3) | 4.55 |
| 熔點(℃) | 1970 |
| 硬度（Mohs） | 8.5 |
| 吸濕性 | 否 |
| 解理面 | 否 |
| 溶解度（g/100gH2O） | N/A |
| 熱膨脹（C-1） | 8.5*10-6 |
| 屬性 | 數值 |
| 波長（max發射）（nm） | 550 |
| 波長范圍（nm） | 500-700 |
| 衰變時間（ns） | 70 |
| 發光量（光子/ keV） | 35 |
| 折射率（max發射） | 1.82 |
| 輻射長度（cm） | 3.5 |
| 透光率（％） | TBA |
| 透光率（um） | TBA |
| 反射損耗/表面（％） | TBA |
| 能量分辨率（％） | 7.5 |
| 光電子產率（NaI（TI）%（γ射線用） | 35 |
| 中子俘獲截面（靶恩） | TBA |
| 余輝（％） | <0.005 at 6 ms |
