臺式三維原子層沉積系統ALD
原子層沉積（Atomic layer deposition, ALD）是通過將氣相前驅體脈沖交替的通入反應器，化學吸附在沉積襯底上并反應形成沉積膜的一種方法，是一種可以將物質以單原子膜形式逐層的鍍在襯底表面的方法。因此，它是一種真正的“納米”技術，以控制方式實現納米的超薄薄膜沉積。由于ALD利用的是飽和化學吸附的特性，因此可以確保對大面積、多空、管狀、粉末或其他復雜形狀基體的高保形的均勻沉積。
| 美國ARRADIANCE公司的GEMStarXT系列臺式ALD系統，在小巧的機身（78 x56 x28 cm）中集成了原子層沉積所需的所有功能，可多容納9片8英寸基片同時沉積。GEMStarXT全系配備熱壁，結合前驅體瓶加熱，管路加熱，橫向噴頭等設計， 使溫度均勻性高達99.9%，氣流對溫度影響減少到0.03%以下。高溫度穩定度的設計不僅實現在8英寸基體上膜厚的不均勻性小于1%，而且更適合對超高長徑比的孔徑結構等3D結構實現均勻薄膜覆蓋，可實現對高達1500：1長徑比微納深孔內部的均勻沉積。 |
| GEMStarXT 產品特點： *300℃ 鋁合金熱壁，對流式溫度控制 *175℃溫控150ml前驅體瓶，200℃溫控輸運支管 *可容納多片4，6，8英寸樣品同時沉積 *可容納1.25英寸/32mm厚度的基體 *標準CF-40接口 *可安裝原位測量或粉末沉積模塊等選件 *等離子體輔助ALD插件 *多種配件可供選擇 | GEMStarXT 產品型號： GEMStarXT-S： *大8英寸/200 mm基片沉積（4'和6' 可選） *單路前驅體輸運支管，4路前驅體瓶接口 *可升為等離子體增強ALD GEMStarXT-D： *大8英寸(200mm)基片沉積（4'和6' 可選） *雙路前驅體輸運支管，8路前驅體瓶和CF-40接口 *可升為等離子體增強ALD |
| GEMStarXT-P： *大8英寸/200mm基片沉積（4'和6 '可選） *雙路前驅體輸運支管，8路前驅體瓶和CF-40接口 *裝備高性能ICP等離子發生器 13.56 MHz 的等離子源非常緊湊，只需風冷，高運行功率達300W。 *標配3組氣流質量控制計（MFC）控制的等離子氣源線，和一條MFC控制的運載氣體線，使難以沉積的氧化物、氮化物、金屬也可以實現均勻沉積。 |
新產品發布：
| GEMStarNanoCUBE： *大100 mm 立方體樣品 沉積（4'和6' 可選） *單路前驅體輸運支管， 2路前驅體瓶接口 *主要用于3D多孔材料，以及厚樣品的沉積 |
| 豐富配件： | ||
| 多樣品托盤： *多樣品夾具，樣品尺寸（8", 6", 4"）向下兼容。 *多基片夾具，多同時容納9片基片。
| 溫控熱托盤： *可加熱樣品托盤，高溫度500℃，可實現熱盤-熱壁復合加熱方式。
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尾氣處理系統：
| 臭氧發生器：
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粉末旋轉沉積罐模塊： 配合熱壁加熱方式，進一步實現對微納粉末樣品全保型薄膜均勻沉積包覆。
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手套箱接口： 可從側面或背面接入手套箱，與從底部接入手套箱不同，不占用手套箱空間。由于主機在手套箱側面，反應過程中不對手套箱有加熱效應，不影響手套箱內溫度。 | ||
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應用案例
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應用領域
國內外用戶
已發表文獻
1. LoïcAssaudet al. Systematic increase of electrocatalyticturnover over nanoporous Ptsurfaces Prepared by atomic layer deposition. J. Mater. Chem. A (2015) DOI: 10.1039/c5ta00205b
2. XiangyiLuoet al. Pdnanoparticles on ZnO-passivatedporous carbon by atomic layer deposition: an effective electrochemical catalyst for Li-O2 battery. Nanotechnology(2015) 26, 164003. DOI:10.1088/0957-4484/26/16/164003
3. HengweiWang, et al. Precisely-controlled synthesis of Au@Pdcore–shell bimetallic catalyst via atomic layer deposition for selective oxidation of benzyl alcohol. Journal of Catalysis (2015) 324, 59–68. DOI: 10.1016/j.jcat.2015.01.019
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5. FatemehSadat MinayeHashemiet al. A New Resist for Area Selective Atomic and Molecular Layer Deposition on Metal−Dielectric Patterns. J. Phys. Chem. C (2014), 118, 10957−10962. DOI: 10.1021/jp502669f
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