摘要：本發明一種鈮酸鉀鉛壓電單晶的制備方法，將先合成的鈮酸鉀鉛多晶料壓成致密圓柱狀料塊，選擇不同取向的高質量鈮酸鉀鉛單晶作為籽晶，將籽晶裝入坩堝底部的種井部位，然后將原料塊裝入坩堝，使原料塊處于爐膛內高溫區，爐溫控制在1360~1390℃，保持固液界面溫度梯度為6~10℃/cm，保溫3~7小時使多晶粉料充分熔融，坩堝下降速率為0.2~0.5mm/h；待原料全部結晶后，使坩堝處于爐膛恒溫區，在1000~1200℃下保溫，然后以30~50℃/h速率緩慢降溫至室溫，取出晶體，即可得到淺黃色鈮酸鉀鉛壓電單晶。本發明實現了高質量鈮酸鉀鉛單晶的生長，降低了單晶制備難度，極大提高了鈮酸鉀鉛壓電單晶的成品率。
- 專利類型發明專利
- 申請人上海應用技術學院;
- 發明人田甜;劉文斌;李雨萌;徐家躍;儲耀卿;雷云;周鼎;申慧;
- 地址200235 上海市徐匯區漕寶路120號
- 申請號CN201610129276.9
- 申請時間2016年03月08日
- 申請公布號CN105586638A
- 申請公布時間2016年05月18日
- 分類號C30B29/30(2006.01)I;C30B28/02(2006.01)I;C30B11/14(2006.01)I;C30B33/02(2006.01)I;
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