摘要：一種多層存儲塊兼具單層存儲塊性能的方法包括在每個存儲單位上僅設置“0”和“1”兩個電位；模擬單層存儲塊的寫入方式將數據寫入多層存儲塊內。本發明采用上述的技術方案，可以使MLC具有SLC高效的寫入性能，并且還具有SLC穩定性好以及壽命長的特點。
- 專利類型發明專利
- 申請人深圳市安信達存儲技術有限公司;
- 發明人李修錄;
- 地址518000 廣東省深圳市南山區西麗街道陽光社區沙坑路偉豪工業園2棟廠房601-1
- 申請號CN201410065882.X
- 申請時間2014年02月26日
- 申請公布號CN103870214A
- 申請公布時間2014年06月18日
- 分類號G06F3/06(2006.01)I;G06F12/02(2006.01)I;
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