摘要：本發明涉及一種鈀復合膜缺陷修補技術，通過氣相反應使SiO2在膜缺陷處沉積，進而實現對組件中的鈀膜直接進行原位修補，而無需拆卸組件，為膜在使用過程中產生的缺陷提供了修補方案。本發明的具體技術方案為：將膜組件置于高溫爐內，將硅源通入組件內鈀復合膜的膜側，硅源蒸氣占據膜缺陷處，再向組件內的鈀復合膜的基體側通入氧化性氣體，氧化性氣體在濃度差的驅使下向缺陷處移動，并與硅源蒸氣接觸，快速反應生成固體顆粒沉積在缺陷處，達到修補的目的。本發明解決了對于膜在使用過程中產生的缺陷的修補問題，可極大地延長膜使用壽命，實用性更廣，操作方便。
- 專利類型發明專利
- 申請人南京工業大學;
- 發明人黃彥;黎月華;胡小娟;俞健;魏磊;魏浩;
- 地址210009 江蘇省南京市鼓樓區新模范馬路5號
- 申請號CN201310721809.9
- 申請時間2013年12月23日
- 申請公布號CN103638821A
- 申請公布時間2014年03月19日
- 分類號B01D65/10(2006.01)I;C01B3/56(2006.01)I;
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