摘要：本發明涉及一種高純鍺探測器無源效率刻度的方法。該方法可以自動、快速、準確地確定高純鍺晶體及其靈敏區尺寸，然后利用蒙特卡羅方法直接進行模擬計算，從而快速實現高純鍺探測器無源效率刻度。
- 專利類型發明專利
- 申請人中國輻射防護研究院;
- 發明人馬吉增;劉立業;潘紅娟;候海權;張斌全;張勇;楊紹文;
- 地址030006山西省太原市120信箱
- 申請號CN200610065054.1
- 申請時間2006年03月17日
- 申請公布號CN101038261A
- 申請公布時間2007年09月19日
- 分類號G01N23/00(2006.01);G01T1/00(2006.01);G06F19/00(2006.01);
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