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引言InxGa1-xN（以下簡稱為InGaN）材料具有0.7eV~3.5eV可調的直接帶隙能量，被廣泛應用于光電子器件領域。其中，利用InGaN制備高效的藍光或綠光發光二管（lightemittingdio...

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