少子壽命測試儀，是款硅片少子壽命測試儀，不僅適用于硅片少子壽命的測量，更適用于硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶等多種不規則形狀硅少子壽命的測量。
儀器簡介
少子測試量程從1μs到6000μs，硅料電阻率下限達0.1Ω.cm(可擴展至0.01Ω.cm)。測試過程程動態曲線監控，少子壽命測量可靈敏地反映單晶體重金屬污染及陷阱效應表面復合效應等缺陷情況，是原生多晶硅料及半導體及太陽能拉晶企業不可多得少子壽命測量儀器。
儀器點
■測試范圍廣：包括硅塊、硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、硅片等的少子壽命及鍺單晶的少子壽命測量。
■主要應用于硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、硅塊、硅片的廠、出廠檢查，藝過程中重金屬沾污和缺陷的監控等。
■適用于低阻硅料少子壽命的測量，電阻率測量范圍可達ρ>0.1Ω/cm(可擴展至0.01Ω/cm)，解決了微波光電導無法檢測低阻單晶硅的問題。
■程監控動態測試過程，避免了微波光電導(u-PCD)無法觀測晶體硅陷阱效應，表面復合效應缺陷的問題。
■貫穿深度大，達500微米，相比微波光電導的30微米的貫穿深度，真正體現了少子的體壽命的測量，避免了表面復合效應的干擾。
■業定制樣品架較大程度地滿足了原生多晶硅料企業測試多種形狀的硅材料少子壽命的要求，包括硅芯、檢磷棒、檢硼棒等。
■性價比，價格遠低于外外少子壽命測試儀產品，大程度地降低了企業的測試成本。
