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          低阻型四探針檢測儀/方阻儀/四探針電阻率檢測儀 型號;DP-KDY-1術參數

          教育裝備采購網 2016-03-18 08:22 圍觀359次
          低阻型四探針檢測儀/方阻儀/四探針電阻率檢測儀 型號;DP-KDY-1儀器采用GB/T 1552-1995硅、鍺單晶電阻率測定直排四探針法(2)范圍:電阻率10-5~10+3歐姆·厘米,分辨率為10-5歐姆·厘米方塊電阻10-4~10+4歐姆/□,小分辨率為10-4歐姆/□(3)可測量材料:半導體材料硅鍺棒、塊、片、導電薄膜等可準確測量的半導體尺寸:直徑≥20㎜可測量的半導體尺寸:直徑≥8㎜(4)測量方式:平面測量。(5)電壓表:雙數字電壓表,可同時觀察電流、電壓變化A.量程0~19.999 mVB.基本誤差±(0.004%讀數+0.01%滿度)C.靈敏度:1uVD輸入阻抗﹥1000MΩE 4 1/2位數字顯示,0~19999(6)恒流源:A.電流輸出:直流電流0.003~100 mA連續可調,有交流電源供給B.量程:10uA,100uA,1 mA,10 mA,100 mA五檔 C.恒流源度:各檔均≤±0.05%(7)四探針測試探頭A.探頭間距1.59㎜B.探針機械游率:±0.3%C.探針直徑0.8㎜D.探針材料:碳化鎢,探針間及探針與其他分之間的緣電阻大于109歐姆。(8)測試架:(選配)手動測試架:KDJ-1A 型手動測試架探頭上下由手動操作,可以用作斷面單晶棒和硅片測試,探針頭可上下移動距離:120mm,測試臺面200x200(mm)。(9)度電器度:1-1000歐姆≤0.3 %整機測量度:1-100歐姆·厘米≤3%(10)電流:220V±10%,50HZ,率消耗﹤35W注:如果測金屬粉末電阻率把樣品壓成塊或片才能測
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